محققان دانشگاه ملی سئول و دانشگاه Sungkyunkwan اخیراً روشی را برای رشد آرایههای نیترید گالیوم بر روی یک لایه گرافن انعطافپذیر ارائه کردهاند. این ساختار که به عنوان آرایههای میکرودیسک شناخته میشود، بلورینگی بسیار خوبی از خود نشان میدهد و تابش نور آبی قوی با جهت گیری یکنواخت درون دیسک را نشان میدهد.
به گزارش ایسنا، محققان میکرودیسک های GaN را به یک لایه گرافن (روی یک بستر یاقوت کبود) متصل کردند. لایه ای که با یک ماسک SiO2 با ساختار ریز با استفاده از اپیتاکسی فاز بخار فلزی-آلی پوشانده شده است. این میکرو دیسکها میکروآلیاژی نامیده میشوند، تبدیل شده و سپس با موفقیت به بسترهای انعطافپذیر منتقل میشوند.
این تحقیق نشان داد که امکان رشد LA، فیلم های با کیفیت بالا بر روی گرافن و ادغام متعاقب آن در دستگاه های میکرو LED وجود دارد، انعطاف پذیری وجود دارد.